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论文介绍了利用溶胶凝胶(sol-gel)键合技术制作的Si基集成共振腔增强型(RCE)光电探测器。键合界面在RCE结构的下DBR和Si衬底之间，键合温度为300℃。器件峰值响应波长在1552.7nm，峰值半高宽(FHWM)为6.4nm，响应度为0.6A/W，带宽为17.05GHz。
Si基腔外键合型共振腔增强InGaAs探测器
【摘 要】
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论文介绍了利用溶胶凝胶(sol-gel)键合技术制作的Si基集成共振腔增强型(RCE)光电探测器。键合界面在RCE结构的下DBR和Si衬底之间，键合温度为300℃。器件峰值响应波长在1552.7n
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京，10083
【出 处】
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2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会
【发表日期】
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2011年期
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