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本文分析了在多晶硅制造工艺中结合RIE(反应离子刻蚀)工艺和高方阻工艺的产业化应用前景。由于RIE制绒工艺可以在多晶体硅片表面制得低反射率的绒面，此种工艺受到了越来越多的关注及更为广泛的研究。此外，随着对正面银浆的研发水平的不断提高，在晶体硅太阳能电池产业化中，高方块电阻的太阳能电池工艺对电池性能的提升起到了越来越关键的作用，并得到了广泛的推广。考虑到它们各自的优势，本论文中，我们将RIE工艺和高方阻工艺结合应用于多晶硅太阳电池，用于分析将这两种工艺结合应用的产业化可行性及其应用前景。