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该文研究了细沟道ｎ－ＭＯＳＦＥＴ器件的随机电报信号噪声（ＲＴＳ）的特征。首次室温下观测到了大幅度（大于６０℅）的ＲＴＳ，发现当器件工作在弱反型区时，ＲＴＳ幅度基本与栅压无关。对ＲＴＳ的动力学机制的分析及数值模拟表明，当沟道宽度减小至几十纳米以下时，由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中ＲＴＳ的幅度的影响起主导作用。并通过测量ＲＴＳ的俘获时间和发射时间与棚压的的依赖关系定出了沟道上方氧化层阱的位置。