【摘 要】
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本文研究了纳米A1N薄膜的导电性与不同的基底材料和不同的厚度的关系.在常规的溅射反应器中,我们使用A1靶,通入Ar+N的混合气体,在常温下和总压力为1.0Pa的条件下进行溅射,在
【机 构】
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吉林大学超硬材料国家重点实验室(吉林长春)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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本文研究了纳米A1N薄膜的导电性与不同的基底材料和不同的厚度的关系.在常规的溅射反应器中,我们使用A1靶,通入Ar+N<,2>的混合气体,在常温下和总压力为1.0Pa的条件下进行溅射,在不同的衬底上制备出了不同厚度的纳米A1N薄膜.我们直接在空气中测量了不同厚度和不同基底材料的纳米A1N薄膜的电阻率,得出以下结论:同一基底材料的电阻率,随着厚度的增加而非线性的增大,不同基底材料在同一厚度的电阻率也不同.
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