【摘 要】
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自从1992年首次合成具有广泛的构架组成、形貌和多孔结构的有序介孔SiO2(M41S)材料以来,应用有机表面活性剂合成非硅介孔材料日益引人注目.例如,多孔半导体氧化物MnO2、Al2O3
【机 构】
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武汉大学化学与分子科学院,武汉430072
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自从1992年首次合成具有广泛的构架组成、形貌和多孔结构的有序介孔SiO2(M41S)材料以来,应用有机表面活性剂合成非硅介孔材料日益引人注目.例如,多孔半导体氧化物MnO2、Al2O3、TiO2、Nb2O5、Ta2O5、ZrO2和SnO2等在过去十几年有了较大的发展.研究表明,多孔半导体氧化物不仅具有高的比表面积,还可有效地抑制电子-空穴的表面复合速度,在提高界面电荷转移反应和光电转换效率方面蕴涵着极大的潜力.自95年Antonelli[5]等首次报道了介孔TiO2以来,TiO2多孔半导体材料在光催化、光电化学电池等方面的应用受到了广泛的关注.
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