论文部分内容阅读
利用低能中性团簇束流淀积（LECBD）方法制备硅团簇薄膜，观察到Si团簇特殊的分形生长现象，并对此非平衡动力学过程作初步的探讨。
硅团簇束流淀积的分形生长
【摘 要】
：
利用低能中性团簇束流淀积（LECBD）方法制备硅团簇薄膜，观察到Si团簇特殊的分形生长现象，并对此非平衡动力学过程作初步的探讨。
【机 构】
：
大学固体徽结构国家重点实验室(南京)
【出 处】
：
第九届全国原子与分子物理学术会议
【发表日期】
：
1998年9期
其他文献
该文通过田间小区试验对辽宁省五个地区的水田土壤进行的Si肥肥效研究。结果表明，除苏家屯区外，其它四个地区施用Si肥能显著提高水稻的产量及植株体内Si的含量；施用Si肥对水稻籽
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min 取得最
采用MOCVD技术在Si(111)GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波