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本研究采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型Ge基片上于不同氮气和氩气比例的气氛下生长了ZrO2栅介质薄膜。通过结构表征发现，在沉积气氛中引入氮气能够有效地将N引入到介质薄膜中。x-射线光电子能谱分析表明，在氮气气氛中沉积ZrO2薄膜能够有效抑制在Ge基片界面处GeO2的生成。对ZrO2沉积薄膜制成TiN/ZrO2/Ge的MOS结构，其电容-电压(C-V)随着氮气含量的增加，栅电容的CET和介电常数随之相应增加。电流-电压(I-V)表明，随着氮含量的增加漏电流密度随之减小。因此，在氮气气氛下磁控溅射沉积ZrO2薄膜，能够有效减少介质中的固定电荷，降低栅漏电流。