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本文在纳米三氧化铟(In<,3>O)材料中掺入1﹪Pdcl<,2>,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.
InO粉体的气敏性能研究
【摘 要】
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本文在纳米三氧化铟(InO)材料中掺入1﹪Pdcl,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.
【机 构】
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上海大学理学院化学系(上海)
【出 处】
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中国化学会2002年学术会议
【发表日期】
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2002年3期
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