【摘 要】
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本文利用Silvaco半导体软件建立了AlGaN/GaN HEMT器件的物理模型,通过对模型结构和材料参数的研究,仿真了0.2μm栅长、75μm栅宽的单栅指结构。当器件工作在结温75℃时,1
【机 构】
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School of Information and Electronics, Beijing Institute of Technology Beifing, 100081, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文利用Silvaco半导体软件建立了AlGaN/GaN HEMT器件的物理模型,通过对模型结构和材料参数的研究,仿真了0.2μm栅长、75μm栅宽的单栅指结构。当器件工作在结温75℃时,1V栅压下的饱和漏电流密度为970mA/mm,10V漏压下的单位跨导最大值为390mS/mm。在-1.5V栅压和25V漏压下的截止频率和最大振荡频率分别为50GHz和130GHz,工作频率为40GHz时的最大资用功率增益为11dB。当饱和漏电流密度为100mA/mm时,50V漏压下势垒区的最大电场约为3.6MV/cm。结果表明,此结构可用于Ka波段,同时该物理模型也可为器件的优化设计提供理论指导和依据。
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