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本文以54HC04为研究对象,进行了稳态与脉冲γ总剂量辐照效应试验,研究了稳态与脉冲γ总剂量电离辐射效应,重点对稳态和脉冲γ总剂量辐射效应进行了比较研究.通过稳态和脉冲γ总剂量辐照后阈电压(VTH)及漏电流(IDs)参数的退化研究,获得了稳态与脉冲辐照时辐射损伤的相关性,获得了等剂量辐照后,脉冲γ辐射损伤弱于稳态Y辐射损伤的结果。在此基础上分析讨论了稳态与脉冲总剂量辐照损伤机理.