【摘 要】
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用MOCVD法在绝缘薄膜SiNx上生长了ZnO薄膜,通过X光衍射与光致发光的方法表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽是0.176°,光致发光仪有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.成功制备了底栅型ZnO基薄膜晶体管,测试表明器件具有良好的场效应特性及饱和特性.
【机 构】
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中国科学院长 春光学精密机械与物理研究所 北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春 130031 中国科学院研 究生院,北京 100049
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用MOCVD法在绝缘薄膜SiNx上生长了ZnO薄膜,通过X光衍射与光致发光的方法表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽是0.176°,光致发光仪有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.成功制备了底栅型ZnO基薄膜晶体管,测试表明器件具有良好的场效应特性及饱和特性.
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