Cu(In,Ga)Se2太阳能电池快速热退火效应

• 作 者: 杨洁 郑玲玲 杜汇伟 周平华 石建伟 徐飞 马忠权 陈东生
• 机 构: 上海大学索朗光伏材料与器件研发联合实验室，上海 200444
• 出 处: 2011年第三届全国光学青年学术会议
• 发表日期: 2011年期
• 关键词: 太阳能电池 退火温度 薄膜质量 薄膜缺陷 载流子浓度 快速热退火 化学计量比 元素扩散

　　本文利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In，Ga)Se2(CIGS)电池的影响，研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In，Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰，即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低，可减少薄膜体内缺陷，提高载流子浓度，改善薄膜质量；退火温度过高，则会引起正常格点处元素扩散，元素化学计量比改变，体内缺陷增加，吸收层带隙降低，反而会对CIGS薄膜造成破坏。