【摘 要】
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SnO薄膜由于具有宽带隙(约3.54eV)、优质的光电性能、气敏特性和良好的光透过性以及化学稳定性等,被广泛应用于敏感器件、光电子器件、光伏电池、电热材料等领域。自从Seiyam
【机 构】
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武汉工程大学湖北省新型反应器与绿色化学工艺重点实验室,武汉 430074
【出 处】
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中国化学会第七届全国无机化学学术会议
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SnO<,2>薄膜由于具有宽带隙(约3.54eV)、优质的光电性能、气敏特性和良好的光透过性以及化学稳定性等,被广泛应用于敏感器件、光电子器件、光伏电池、电热材料等领域。自从Seiyama等1962年提出半导体(SnO<,2>)气体传感器以来,由于其具有寿命长,灵敏度高,对有毒气体有高阻抗,输出信号大和成本低等特点,得到了广泛的应用,目前已成为世界上产量最大,使用最广的传感器之一。本文探讨了稀土元素对SnO2气敏传感材料的掺杂改性等.
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