【摘 要】
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本文提出了一种新型的横向高压器件结构,并对其进行了耐压分析,结果表明,该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,相对于内场限环结构,其耐
【机 构】
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核技术研究所(西安)交通大学(西安)
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本文提出了一种新型的横向高压器件结构,并对其进行了耐压分析,结果表明,该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,相对于内场限环结构,其耐压高且导通电阻低,因而下失为一种较为实用的提高横向功率器件耐压的新途径。
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