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本文通过阳极氧化法制取TiO2纳米管阵列薄膜，真空条件下，在硫脲存在下，进行热处理，得到N+S共掺杂TiO2纳米管阵列薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线光电子能谱(XPS)等对其结构进行表征，并在可见光下对其光电性能进行测定。结果表明，N+S掺杂后的ZiO2纳米管阵列薄膜与未掺杂的相比，具有较大的光电流密度。