【摘 要】
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ZnO作为一种宽带隙半导体,由于具有3.37eV的带隙和高达60meV的激子束缚能等优异特性,已经引起了人们的广泛关注,尤其是在发光二极管和激光应用方面具有巨大潜力.C面蓝宝
【机 构】
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哈尔滨工业大学 光电材料与量子器件实验室,黑龙江哈尔滨150001
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
论文部分内容阅读
ZnO作为一种宽带隙半导体,由于具有3.37eV的带隙和高达60meV的激子束缚能等优异特性,已经引起了人们的广泛关注,尤其是在发光二极管和激光应用方面具有巨大潜力.C面蓝宝石衬底由于具有高的结晶质量,通常被作为GaN和ZnO等材料的衬底,但是与ZnO之间晶格失配高达18%,由于晶格不匹配,导致ZnO薄膜中存在大量的晶格缺陷.在本文中,我们讨论了不同取向的蓝宝石衬底(c面,r面和a面)蓝宝石对ZnO结晶质量的影响,并研究了不同取向的蓝宝石衬底对ZnO薄膜光学带隙的影响.
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