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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池.首先在125℃下改变硅烷浓度，实现了本征非晶硅材料光学带隙的调节，硅烷浓度5％时材料光学带隙达到1.90eV.之后采用低速沉积的方式制备p-a-SiC：H窗口层材料，通过甲烷浓度、硼烷浓度的调节，在125℃下制备出宽带隙(1.84～1.98eV)、高电导率(5×10-8～2×10-7 S/cm)的p型窗口层.将两者结合，在125℃下制备出开路电压达到0.99V、填充因子0.71的p-i-n型单结非晶硅太阳电池，将此低温技术应用到廉价的PET塑料衬底上，制备出效率为4.6％的柔性非晶硅太阳电池.