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该会议论文论述了脉冲ＭＯＳ电容器的电容－－时间瞬态特性和它在半导体参数测试中的应用，无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度，扩展电阻定标新方法，计算机辅助场漂移驰豫测试分析系统，半导体器件少子寿命温度特性测量仪，单晶光纤的散射系数测量，连续波电光检测技术中的双光路测试法以及谱峰似合过程中的参数固定方法。（吴银燕摘）