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本文对ECR CVD沉积制备六角氮化硼薄膜进行了阐述。采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR CVD)系统，以逐层沉积技术(LBL)制备氮化硼(BN)薄膜。在500℃沉积温度下，以BF3-Ar-He-N2-H2为反应气体，周期通入BF3-N2-H2和BF3-N2，沉积出c轴垂直于衬底表面的六角氮化硼(h-BN)薄膜。室温下，以BF3-Ar-He-N2为反应气体，基于两种反应气体轮流参与沉积的原子叠层沉积方法，周期通入BF3混合气体和N2气体，沉积出h-BN薄膜。应用傅立叶红外光谱(FTIR)和XRD图谱对制备薄膜的结构性能进行研究。