第一性原理研究Cu2ZnⅣS4(Ⅳ=Si,Ge,Sn)/ZnS异质界面能带带阶

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wavepku

【摘要】

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四元化合物半导体Cu2ZnⅣS4(Ⅳ=Si,Ge,Sn)作为太阳能电池的吸收层材料而被广泛研究.能隙宽度约1.3-3.0eV 范围1,其中Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳电池光电转换效率已达到了8.4％2,极大地鼓舞了该领域的研究.由于,两种半导体材料的禁带宽度和电子亲和能的不同,电池异质界面处会产生能带不连续,从而影响载流子的输运过程.

【作者】

：

包乌吉斯古楞

【机构】

：

渤海大学新能源学院,锦州市松山新区科技路19 号,121013

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

Cu2ZnⅣS4(Ⅳ=Si Ge Sn) 异质界面能带带阶第一性原理

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