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本文采用氧化钼掺杂有机给体材料酞菁铜(MoO3:CuPc)做为缓冲层制备了一种有机太阳能电池。采用该缓冲层后,器件的稳定性得到改善,在空气中放置30分钟后,器件的效率降低了20％,而未采用缓冲层的器件效率降低了7％。MoO3:CuPc缓冲层改善了阳极ITO与有机给体层(CuPc)的界面状态。
MoO3掺杂CuPc缓冲层对有机太阳能电池的影响
【摘 要】
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本文采用氧化钼掺杂有机给体材料酞菁铜(MoO3:CuPc)做为缓冲层制备了一种有机太阳能电池。采用该缓冲层后,器件的稳定性得到改善,在空气中放置30分钟后,器件的效率降低了20％,
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2010年期
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