【摘 要】
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本文采用ICP-CVD法并以c-C4F8为反应气体制备出厌水性的碳氟聚合物薄膜,并研究了淀积条件与去离子水和薄膜之间的静态接触角的关系.结果表明,随着c-C4F8的气体流量增加和射频
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京,100084
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
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本文采用ICP-CVD法并以c-C4F8为反应气体制备出厌水性的碳氟聚合物薄膜,并研究了淀积条件与去离子水和薄膜之间的静态接触角的关系.结果表明,随着c-C4F8的气体流量增加和射频功率减小,去离子水和薄膜之间的静态接触角增加.在c-C4F8的气体流量为60sccm和射频功率为400W的情况下,去离子水和碳氟聚合物之间的静态接触角为112°.分别利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试了薄膜表面的形貌和化学键,分析了静态接触角增加的原因.
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