【摘 要】
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牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一,牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构,或形成空腔.然而在释放过程中,多数情况下会出现粘连现象,导致结构失效.为解决该黏附问题,基于固态升华原理研制了一种牺牲层释放设备.结合牺牲层释放的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点.最后采用该设备对一种微机械可变衰减器进行了结构释放,实验证明该设备可以成功应用于富硅型低应力氮化硅薄膜器件的牺牲层释放工艺.
【机 构】
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纳米加工与新器件集成重点实验室 中国科学院微电子研究所,北京,100029
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一,牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构,或形成空腔.然而在释放过程中,多数情况下会出现粘连现象,导致结构失效.为解决该黏附问题,基于固态升华原理研制了一种牺牲层释放设备.结合牺牲层释放的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点.最后采用该设备对一种微机械可变衰减器进行了结构释放,实验证明该设备可以成功应用于富硅型低应力氮化硅薄膜器件的牺牲层释放工艺.
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