【摘 要】
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该文尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所材料中心(上海)
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该文尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布。并根据上述结果对Zanio的提出扩散系数公式(1)进行修正，最终得到490℃的组分互扩散系数。D(x)=4×10<-3>×10<-3x>
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