高性能ZnO薄膜晶体管的室温射频磁控溅射制备

• 作 者: 林明通 朱文清
• 机 构: 上海大学-广电电子平板显示技术联合工程技术中心,上海,200072
• 出 处: 2010中国平板显示学术会议
• 发表日期: 2010年期
• 关键词: 高性能 薄膜晶体管 室温下 射频磁控溅射 迁移率 器件 宽长比 指数衰减 阈值电压 溅射参数 沟道 漏电流 有源层 亚阈值 漏电极 开关比 粉末靶 介质 法制

在室温下以射频磁控溅射法制备了一系列沟道宽长比且性能优良的ZnO TFT器件。有源层的沉积采用粉末靶及经过优化的溅射参数，以Al薄膜为栅和源、漏电极，以Al2O3薄膜为介质。获得多数器件的饱和迁移率在0.1-10 cm2/Vs数量级。其中一个较好器件的饱和迁移率为10.6cm2/Vs，阈值电压为3.6V，开关比大于1.5×105，关态电流小于5.3×1010，亚阈值斜率约1.0V/dec。研究还发现，饱和迁移率随沟道宽长比的增加而减小，源漏电流随时间呈指数衰减。