SiC雪崩紫外探测器的制备与研究

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoyan_0532

【摘要】

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在MOCVD生长的SiC外沿薄膜上制备了雪崩型紫外探测器,并对该探测器的伏安特性、增益、暗计数等参数进行了研究,并利用源表、被动猝灭电路搭建了完整的单光子探测系统.测试结果表明,在反偏模式下,探测器在偏压达到188V左右进入盖革雪崩模式,增益超过1000.在低电压下,探测器的暗电流约为10-13A,接近系统的测试极限.单光子探测系统的测量结果表明,在无光照的情况下,探测器的暗计数约为5kHz.

【作者】

：

刘飞周东陆海任芳芳张荣郑有炓

【机构】

：

南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

【出处】

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第13届全国MOCVD学术会议

【发表日期】

：

2014年2期

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