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研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg 掺杂的Inn 材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X 射线衍射技术(XRD)，对样品的对称面和非对称面作ω扫描，并且通过倒异空间图(RSM)扫描，拟合得到了刃位错与螺位错密度，并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较，同时结合迁移率的测量结果，发现快速退火温度采用400 ℃能有效的提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效的激活Mg原子活性，降低材料中的载流子浓度，同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位，降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时，(002)面的摇摆曲线半峰宽也很好的验证了我们的结果。