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本文通过快速凝固方法制备了宽1-2 mm、厚约20μm的钴基非晶条带，并通过可控磁场退火调节其微观相结构、磁性能和电性能，同时对不同处理条件下条带的巨磁阻抗效应与其内在的微观相结构、磁性能和电性能的相关性进行了研究，从而优化其巨磁阻抗效应（GMI）。结果表明对非晶条带在450℃退火30分钟，可以获得优异的GMI效应，此时合金条带的微观相结构为超精细纳米晶合金。该纳米晶合金的微观相结构特点是以晶粒间距为2.0±0.5nm、晶粒尺寸为2.5±0.4nm的纳米晶均匀弥散在非晶基体内。通过加载纵向10 Oe磁场，其GMI效应曲线从淬态时的双峰特征变为单峰特征；而在无加外磁场下，在同样的退火条件下处理的样品GMI效应曲线仍表现为双峰特征。磁场退火制备的纳米晶合金在10MHz的频率下，最高磁阻抗比率可达520％，比淬态条带的磁阻抗比率（84%）提高了近6.2倍，其直流磁场灵敏度也达到了(2.5%/mT)；无磁场退火制备的纳米晶合金在15MHz下，最高磁阻抗比率为324%，直测的低磁场下(0-10 Oe或0-100 mT)的磁场灵敏度可达(1.33%/mT)。所研制的超精细纳米晶合金的GMI效应初步具备了检测弱磁场变化（如地磁场，30-60mT）的能力，可作地磁导航仪用磁敏感探头材料。