17.5GHz高品质频率源研制

来源 :2013年全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vicky01255
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本文介绍了一个基于HMC704LP4E鉴相芯片的17.5GHz低相噪、低杂散单频锁相源的实现方案.测试结果表明:该锁相源输出信号相位噪声在偏离载波1kHz、10kHz和100kHz处分别达到-98dBc/Hz、-105.2dBc/Hz和-108.5dBc/Hz;鉴相泄漏等杂散抑制优于82dBc,谐波抑制优于67dBc;电路尺寸为80×75×22mm3.
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介绍了频率合成器的基本理论和技术现状,采用直接数字频率合成和锁相环技术相结合设计并实现了C波段快速跳频频率合成器,阐述了样机的设计方案和主要设计参数,测试结果表明该频合器相位噪声在偏离载波10kHz处优于-90dBc/Hz,换频时间小于20us.
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本文研究了高温退火温度和退火时间对SiC SIT器件的表面形貌及P型欧姆接触电学性能的影响规律.实验中发现退火温度的提高能有效地改善器件的离子注入激活率,但退火温度越高,退火时间越长,由退火造成的SiC表面粗糙的情况就越严重.经过优化工艺条件,在1850℃退火3分钟的器件的表面均方根粗糙度RMS约为0.292nm,P型欧姆接触电阻率能达到7.851E-05(Ωcm2).直流测试结果表明研制得到的S
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本文提出了一种新型的开关延迟线可重构滤波器.使用阶跃阻抗变换器或双行为谐振器作为单位元件,均能产生两对传输零点,提高滤波器带外抑制.本文给出了该类滤波器理论分析与两种设计实例,一种为阶梯阻抗变换器作为单位元件,工作在1G/1.5G,具有30dB的带外抑制;另一种为DBR作为单位元件,工作在1G/1.3G/1.6G,有50dB的带外抑制.
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