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抛光硅片的背面处理起吸除器件区重金属杂质和减少晶格缺陷的作用。该文用ＳＥＭ、ＴＥＭ和光学显微镜研究硅片背面的机械损伤、软损伤和多晶硅，分析了这些背面处理的吸杂机理。
硅片的背面处理
【摘 要】
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抛光硅片的背面处理起吸除器件区重金属杂质和减少晶格缺陷的作用。该文用ＳＥＭ、ＴＥＭ和光学显微镜研究硅片背面的机械损伤、软损伤和多晶硅，分析了这些背面处理的吸杂机理。
【机 构】
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市计量测试技术研究院,上海微电子分析测试重点实验室
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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