【摘 要】
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本文介绍了在量产SiC功率器件工艺制程中两项关键性技术,即离子注入技术和活化退火技术。通过计算机模拟了SiC材料中注入Al离子的平均自由程和多步注入条件,并对比分析反
【机 构】
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爱发科(苏州)技术研究开发有限公司,江苏 苏州 215026
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文介绍了在量产SiC功率器件工艺制程中两项关键性技术,即离子注入技术和活化退火技术。通过计算机模拟了SiC材料中注入Al离子的平均自由程和多步注入条件,并对比分析反射高能电子衍射仪(RHEED)图像很好地验证了SiC器件所需的注入技术是高能、高温和多步注入；高温离子注入(500℃)后,通过不同的碳膜覆盖方式在不同温度条件下进行活化退火处理,利用AFM对比图像确立了碳膜溅射技术和高温活化退火技术为SiC器件的另一关键性技术。基于以上对关键性工艺验证,我司自行设计并开发了量产SiC用的高温离子注入设备(ULVAC,IH-860DSIC)、碳膜溅射设备(ULVAC,SME-200)和高温活化退火设备(ULVAC,PFS-4000-25)。设备已被日本多条SiC生产线上使用,用于制造SiC-SBD器件和SiC-MOSFET器件。
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