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InAs/GaSbSuperlatticeInfrared Photodetectors Grown by Molecular Beam Epitaxy
【机 构】
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Key Laboratory of Infrared Imaging Material and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics, C
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2012年11期
其他文献
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明,随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减小,垒／阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减小；增加高度至一定值后,量子阱厚度及I
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利用垂直梯度凝固生长技术(VGF)制备了半绝缘砷化镓晶锭,经线锯切割后对晶片进行长时间的高温退火。在退火工艺前对晶片进行不同方法的预处理,利用辉光放电技术(Glow Discharge Mass Spectrometry,GDMS)、霍尔测试(Hall),傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Absorption Spectroscopy,FTIR)、光致发光
利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加，使得拉曼探测信号的强度会随着AIN晶针直径的增加而增强。研究发现随着AlN晶针直径的增加A1(TO)模式的振动频率有明显的增加，而E21、A1(TO)、E22、E1(TD)和E1(LO)模式
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现至少有5个能级,能级位置分别为0.14,0.22,0.31,0.36和0.54ev。它们可能与残余杂质,Cd空位,Cd间隙及其它结构缺陷有关。
氮化物和氧化物半导体材料及相关器件是目前国际上化合物半导体领域最活跃的研究方向。近期氮化物半导体材料的一个热点研究方向就是高In组份的GaInN材料和相关器件研究；用MBE方法生长了InN纳米材料和薄膜材料，并制备了电致发光器件，器件电致发光峰值在1.57微米左右，进一步证实了InN材料是一个窄带隙材料。近期氧化物半导体材料的一个热点和难点研究方向就是ZnO材料的p型掺杂和其紫外激光器件研究；用M
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