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该文采用ＳＯＩ／ＣＭＯＳ工艺成功地研制出沟道长度为０．８μｍ的ＳＯＩ器件和环振电路，在５Ｖ和３Ｖ电源电压时５１级环振的单门延迟时间分别为８２ｐｓ和２８１ｐｓ，速度明显高于相应的体硅电路。由于采用硅岛边缘注入技术，寄生边缘管得到较好的抑制。文中同时对沟道宽度对ＳＯＩ器件特性的影响给予了讨论。实验表明ＳＯＩ器件是高速和低功耗电路的理想选择。