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这项研究通过原位层层自组装构建了低缺陷石墨烯、磷钼酸和聚苯胺的三元杂化纳米结构.其中低缺陷石墨烯充当二维纳米基底，而磷钼酸和聚苯胺则形成了均匀的超薄膜结构.该方法得到的材料具有优异的超电容性能：在0.2 A/g 时可以达到688 F/g 的比电容；经过1000 个充放电循环后，只有8％的电容损失.该电容值远远高于采用化学聚合生长或者物理吸附得到的杂化结构的电容值，因而证明原位层层自组装在超级电容器领域的巨大应用前景.