【摘 要】
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采用特殊液相沉淀法制备氢氧化铬前驱体纳米粉体为原料,并首次用高压气固反应床制备CrN纳米粉体,在650-850℃,压强为0-0.6MPa时,氨解2～4小时,制备高纯CrN纳米粉体,通过体用透
【机 构】
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辽宁科技大学 理学院,辽宁 鞍山 114051
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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采用特殊液相沉淀法制备氢氧化铬前驱体纳米粉体为原料,并首次用高压气固反应床制备CrN纳米粉体,在650-850℃,压强为0-0.6MPa时,氨解2～4小时,制备高纯CrN纳米粉体,通过体用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等方法进行了表征.研究了系统压力对氨解温度和氨解时间的影响,结果表明;用高压气固反应床制备的CrN纳米粉体需650℃,压强为0.6MPa时,氨解2小时,制得高纯CrN纳米粉体,粒径为40～60nm.
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