红外光谱法研究Al<,2>O<,3>-SiO<,2>-TiO<,2>薄膜的表面性质

• 作 者: 周群 曾智强
• 机 构: 大学化学系(北京)
• 出 处: 全国第二届溶胶-凝胶科学技术学术会议
• 发表日期: 1997年期
• 关键词: 红外光谱法 薄膜表面 乙烯基三乙氧基硅烷 陶瓷薄膜 工艺条件 表面性质 表面基团 有机物浓度 羟基反应 含量 高温度 线性 改性 法制 处理

该文使用红外光谱法研究了由Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＳｉＯ〈，２〉－ＴｉＯ〈，２〉陶瓷薄膜的表面性质，探讨了乙烯基三乙氧基硅烷改性后薄膜表面性质的变化。分析了不同工艺条件下有机物在陶瓷薄膜表面的结合情况。结果表明，乙烯基三乙氧基硅烷通过乙氧基和薄膜表面的羟基反应而结合于薄膜表面。在该文的工艺条件范围内，表面基团含量随处理时间延长而线性增加，提高温度和有机物浓度都使表面基团含量提高。