外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析

• 作 者: 黄晖 吴刚 何永成 莫玉东 雷春红 刘朝旺
• 机 构: 昆明物理研究所(昆明)
• 出 处: 第十三届全国红外科学技术交流会
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 外延生长 薄膜 衬底表面 射线 表面结构 化学腐蚀 结构完整性 损伤层 双晶回摆曲线 取向 腐蚀时间 方法 测量材料 表面损伤 切割 精研

该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe（简称MCT）薄膜所用CdZnTe（简称CZT）衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前，对表面结构完整性的主要影响来自损伤层未完全去除；当损伤层之后，对表面结构完整性的主要影响来自化学腐蚀对衬底的不均匀取向腐蚀。所以衬底的化学腐蚀时间的正确使用一达到恰好去除损伤层，而又不再进行之后的不均匀取向腐蚀一是制备出最有利于外延生长用CZT衬底表面结构的重要的因素。