【摘 要】
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将稀土离子Eu,Eu,Tm和Eu+Er+Tm分别注入到分子束外延生长的GaN外延片中(每种元素注入剂量均为1×1014 cm-2).共聚焦显微拉曼(Micro-Raman)谱显示,与未注入的GaN相比,注入后的
【机 构】
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武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
【出 处】
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第二届中国可信计算与信息安全学术会议
论文部分内容阅读
将稀土离子Eu,Eu,Tm和Eu+Er+Tm分别注入到分子束外延生长的GaN外延片中(每种元素注入剂量均为1×1014 cm-2).共聚焦显微拉曼(Micro-Raman)谱显示,与未注入的GaN相比,注入后的样品在300和673 cm-1处出现了Raman损伤峰,且蜂位不随注入离子种类的改变而变化,说明这一损伤峰与注入原子的本征震动无关,只与晶格损伤后的振动模式有关.样品经1 150℃,30 s的快速热退火处理后,这两个峰的强度变弱,甚至消失.但退火后样品的共聚焦显微拉曼谱在533,592和750 cm-1处又出现3个新峰.经分析,533 cm-1是A1(TO)模式,592和750 cm-1则是由于注入重稀土元素引起的晶格失配激发的Raman散射(DARS).
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