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Effects of gallium doping on properties of a-plane ZnO films on r-plane sapphire substrates by plasm
【作 者】
:
【机 构】
:
Department of Advanced Materials Engineering,Chungnam National University,Daejeon,305-764,Korea
【出 处】
:
第六届国际氧化锌及相关材料研讨会
【发表日期】
:
2010年4期
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