【摘 要】
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选用CaO、BO、 DyO、LiO等为添加剂，在较低温度下（T≤1650℃）获得了高致密度的AlN陶瓷，1600℃恒温6个小时，热导率可达112W/m.k。AlN陶瓷的主要极化机理为空间电荷极化。室温时在5K
【机 构】
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大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
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选用CaO、B<,2>O<,3>、 Dy<,2>O<,3>、Li<,2>O等为添加剂，在较低温度下（T≤1650℃）获得了高致密度的AlN陶瓷，1600℃恒温6个小时，热导率可达112W/m.k。AlN陶瓷的主要极化机理为空间电荷极化。室温时在5KHz-5MHz的频率段内，介电常数和介质损耗随频率的升高而降低。在1MHz下，大部分AlN陶瓷的介电常数介于8．4-9.1之间，而介质损耗为1O<-3>-10<-4>的数量级。
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