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本文提出了一种高频存储器测试专用的扫描测试电路结构,该结构采用串行扫入数据,并行运算,串行扫出结果的流程,其中可调节的高频时钟,可以更精确地测试电路的工作频率。采用130nm CMOS工艺全定制设计实现了一种面积为1084×627.4μm2,主频达到600MHz的存储器测试芯片,模拟测试表明,该测试芯片能够准确验证存储器的性能.