【摘 要】
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钙钛矿结构氧化物薄膜是现代电子器件和功能组件研制的重要物质基础,溅射沉积是电子薄膜制备的最重要和最常用的方法之一.本文基于氧化物薄膜材料的倒筒式溅射方法,为了有效
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工程学部第五届学术会议
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钙钛矿结构氧化物薄膜是现代电子器件和功能组件研制的重要物质基础,溅射沉积是电子薄膜制备的最重要和最常用的方法之一.本文基于氧化物薄膜材料的倒筒式溅射方法,为了有效地减弱负氧离子的反溅射效应,提出在余辉等离子区沉积薄膜,成功地将薄膜成分调整在化学计量比范围内.针对氧化物介电薄膜沉积速率低(～10nm/h)的问题,研制出一套对靶溅射系统,将成膜速率提高了5倍,大幅度缩短了沉积时间.针对尺寸放大到1英寸以上后存在的成分与厚度均匀性差的问题,通过对溅射过程中成分、厚度分布的模拟计算与实验规律的研究,发明了一种基片“双轴旋转”的特殊运动方式,大大改善了3英寸薄膜的厚度均匀性(优于10％).在解决了以上氧化物薄膜的共性技术问题之后,研制出热释电系数高达10-7C/(cm2·K)的1英寸BST薄膜、RS≤0.5mΩ的3英寸YBCO双面超导薄膜,以及tgδ≤10-3的压控STO薄膜.
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