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拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3纳米片输运特性研究

来源 :第十五届全国磁学和磁性材料会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gengyunshe

【作 者】

：

王振华 高翾 张志东 

【机 构】

：

中国科学院金属研究所,沈阳,110016 美国凯斯西储大学物理系,美国,10900

【出 处】

：

第十五届全国磁学和磁性材料会议

【发表日期】

：

2013年11期

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