【摘 要】
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近年来,基于化合物半导体铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)的薄膜太阳能电池已经达到了光电转换效率为20.3％的记录.另一种四元硫族化合物半导体铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)因为
【机 构】
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电子科技大学能源科学与工程学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都高新西区西源大道2006号,611731
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近年来,基于化合物半导体铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)的薄膜太阳能电池已经达到了光电转换效率为20.3％的记录.另一种四元硫族化合物半导体铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)因为各组成元素在地壳中的丰度较高、结构上与CIGS的类似性、优良的光电性能,被认为可以在将来取代铜铟镓硒作为薄膜太阳能电池的吸收层材料.当前对这两种化合物半导体的一个研究热点是利用它们的纳米材料,通过非真空工艺,来实现大面积的吸收层薄膜的制备,这类方法具有成本低、工艺相对简单等优点.基于这个背景,我们以非真空法制备高性能的CIGS和CZTS吸收层薄膜为目标,在这两类化合物的纳米材料的合成方法学方面展开了系统工作,研究了以不同合成方法和起始原料出发来制备不同结构的纳米材料的固相反应及反应机理.在本次报告中,我们将以CIGS和CZTS为例,讨论在多元硫族化合物半导体合成中的化学问题.
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