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  5. The effect of interfacial and intrinsic properties of electrodes on the resistive switching of ZnO f

The effect of interfacial and intrinsic properties of electrodes on the resistive switching of ZnO f

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：itache
【摘 要】
：
RRAM,which depends on the electrically switchable resistance based on ionic motion to store and process information,is regarded as one of the promising candidates for the next-generation memories due
【作 者】
：
Wuhong Xue Jun Ding Run-Wei Li Xinxin Chen Xiaojian Zhu Liang Pan Hongwei Tan Wenbin Zhang Jie Shang Gang Liu Xiaohong Xu 
【机 构】
：
Key Laboratory of Magnetic Materials and Devices,Ningbo Institute of Materials Technology and Engine
【出 处】
：
中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
：
2013年11期
【关键词】
：
resistive switching zinc oxide electrode roughness electronegativity ionic size 
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　　RRAM,which depends on the electrically switchable resistance based on ionic motion to store and process information,is regarded as one of the promising candidates for the next-generation memories due to its simple structure,nondestructive readout,fast-speed,low-energy,and high-endurance.
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