Th4+-印迹聚合物的制备及其性能研究

• 作 者: 梁和乐 陈庆德 沈兴海
• 机 构: 北京大学化学与分子工程学院,放射化学与辐射化学重点学科实验室,北京分子科学国家实验室,北京100871
• 出 处: 第十四届全国核化学与放射化学学术研讨会
• 发表日期: 2016年8期
• 关键词: 钍离子印迹聚合物 磷酸二酯配体 3-氧戊二酰胺酸配体 制备工艺 吸附效果

离子印迹技术(ion-imprinting technology,IIT)是以某一目标离子为模板,制备对该离子具有特异选择性的功能聚合物的过程,是分子印迹技术的一个重要分支.离子印迹聚合物(ion-imprinted polymers,IIPs)因对模板离子具有高选择性和强结合能力而备受关注.同时,IIPs还具有制备简单、力学性能好、化学性质稳定等优点.因此IIPs已开始用于过渡金属离子、稀土金属离子等的选择性富集分离和分析检测.目前有一些工作研究Th4+-IIP的制备，并表征了其吸附性能。文献中Th4+-IIP的制备中大多利用羧酸基团配位，取得了较好的印迹效果。本文研究了磷酸二酯配体以及3-氧戊二酰胺酸配体在Th4+-IIP合成中的应用，得到的Th4+-IIP对Th4+良好的选择性;对于镧系金属离子，IIP相比于NIP具有较高的印迹系数。