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本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑直拉硅片中的氧沉淀长大到一定尺寸时会产生诱生缺陷，我们将氧沉淀产生诱生缺陷的最大尺寸定义为临界尺寸。氧沉淀产生诱生缺陷的的临界尺寸会随着退火温度而改变。本文尝试对其影响氧沉淀诱生缺陷的机理做了解释。
重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的研究
【摘 要】
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本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑直拉硅片中的氧沉淀长大到一定尺寸时会产生诱生缺陷，我们将氧沉淀产生
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州 310027
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2009年期
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