【摘 要】
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GaN HEMT技术的日益成熟为军民两个领域的应用带来了新一代微波大功率固态放大器,它比GaAs高一个数量级的输出功率密度是最吸引人的优点.但高输出功率密度同时也带来了高的电
【机 构】
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南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016
【出 处】
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
论文部分内容阅读
GaN HEMT技术的日益成熟为军民两个领域的应用带来了新一代微波大功率固态放大器,它比GaAs高一个数量级的输出功率密度是最吸引人的优点.但高输出功率密度同时也带来了高的电源消耗和热功耗.如果不解决这一问题,将给应用系统带来灾难性后果.本文叙述了提高功放效率减少功耗的主要技术途径,报告了微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室与南京电子器件研究所在这方面的初步实验结果.如何实现GaN HEMT高效率工作是当前研究的热点，在高频段大家都看好E类功放。目前在器件研究方面是要在保持较高功率密度的同时尽可能提高Fmax，e，在电路设计方面是要研究各种准E类工作模式，以达到同时实现高频、宽带、高效、高功率密度的目的。
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