【摘 要】
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掺锑二氧化锡纳米材料是一种极好的导电材料,并对长波的可见光有很好的吸收性.以SnCl5HO和SbCI为原料,经控制pH非水反应-离子交换除氯方法制得单散性良好的氢氧化物粉末,在不同温度的条件下烧制纳米晶体.由于温度对掺锑二氧化锡纳米晶体的晶化程度和粒径的影响,使纳米晶体的导电性发生明显的变化,最佳烧制温度为850℃,在未扣除粉末接触电阻和夹层接触位垒电阻的条件下,电导率为3.9×10Ω·cm.85
【机 构】
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武汉大学资源与环境科学学院(武汉);贵州省发酵工程与生物制药重点实验室贵州工业大学(贵阳) 武汉大
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掺锑二氧化锡纳米材料是一种极好的导电材料,并对长波的可见光有很好的吸收性.以SnCl<,4>5H<,2>O和SbCI<,3>为原料,经控制pH非水反应-离子交换除氯方法制得单散性良好的氢氧化物粉末,在不同温度的条件下烧制纳米晶体.由于温度对掺锑二氧化锡纳米晶体的晶化程度和粒径的影响,使纳米晶体的导电性发生明显的变化,最佳烧制温度为850℃,在未扣除粉末接触电阻和夹层接触位垒电阻的条件下,电导率为3.9×10<-3>Ω·cm.850℃以后电阻的增高是由于晶体表面层p型导体层的增厚阻碍内层n型导体的电子传导所致.
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