【摘 要】
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(III,Mn)V dilute magnetic semiconductors(DMSs)featuring carrier-mediated ferromagnetism have been acting as an ideal playground for the exploration of many novel concepts in spintronic devices[1].Some
【机 构】
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State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academ
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(III,Mn)V dilute magnetic semiconductors(DMSs)featuring carrier-mediated ferromagnetism have been acting as an ideal playground for the exploration of many novel concepts in spintronic devices[1].Some of the ideas extracted from the research results on(Ga,Mn)As have been successfully applied even to ferromagnetic metals.(Ga,Mn)As films previously studied were mainly deposited on GaAs(001)substrates,and their magnetic properties have been thoroughly investigated.However,the TC is still lower than the room temperature[2],and the magnetic anisotropy of(Ga,Mn)As also need to be further elucidated[2],especially for the bulk uniaxial magnetic anisotropy [3].Considering the different incorporated ability of substitutional Mn and diffusion efficiency of interstitial Mn,GaAs substrates with different orientations may probably lead to(Ga,Mn)As films with very different magnetic properties.
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在现代通讯技术中，具有各向同性的高磁导率材料是众多磁性器件中不可或缺的组成部分。人们希望这些磁性材料同时具有高的共振频率(GHz)，以满足信息快速传输的要求。从LLG方程出发，我们在理论上证明了，满足一定设计条件的铁磁/非铁磁/铁磁三层膜可以实现面内各向同性的高磁导率。
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绝缘包覆是软磁粉芯的核心制备工艺。目前，产业上常用的是磷酸钝化工艺，该工艺以磷酸为主要绝缘剂，在磁粉表面通过钝化形成一层致密的磷酸盐绝缘层，但该工艺并不适用于抗腐蚀性较好的铁镍合金磁粉。本文探索了铁镍粉芯的新制备工艺。首先，采用KH550对铁镍磁粉表面进行改性，然后枝接有机树脂形成大分子网状结构，再将纳米氧化物填充于大分子网状结构的间隙以形成绝缘层。
通过第一性原理计算,我们探究了A位有序的立方钙钛矿结构化合物LaMn3Fe4O12的热力学稳定性,基态磁结构以及磁电耦合效应。我们从理论上预测,LaMn3Fe4O12是一种稳定的,具有双重G型反铁磁构型的绝缘体并且存在磁致的铁电极化。该物质中的铁电极化来源于其中具有共线自旋结构的锰离子与铁离子之间的特殊耦合作用。
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磁性转变经常伴随着很多现象,如：热、电、光、长度等等,并有广泛的应用.块状Cu7Ba4Tb2CaOx材料,是用粉末冶金法制备的,所用原料为粉末状的CuO、BaCO3、Tb4O7和CaO,纯度均高于99％,Cu、Ba、Tb和Ca所占离子比为7∶4∶2∶1.所有的粉末均匀混和后,压成块体,在氧压为30mm水柱条件下,900℃烧结48小时后缓冷24小时至450℃,再保温10小时后,炉冷至室温.
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